MOSFET Microchip, canale N, 12 Ω, 175 mA, TO-92, Su foro

La gamma di transistor DMOS FET con modalità di esaurimento a canale N Supertex di Microchip è ideale per le applicazioni che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, alta impedenza di ingresso, bassa capacità di ingresso e rapida velocità di commutazione.

Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità d'ingresso
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza all'accensione
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita

Interruttori normalmente attivi
Relè a stato solido
Convertitori
Amplificatori lineari
Sorgenti di corrente costante
Circuiti di alimentazione
Telecomunicazioni

Il transistor (normalmente attivo) in modalità di impoverimento a canale N Microchip DN2530 utilizza una Advanced Vertical DMOS Structure e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, un’alta impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione. È dotato di tensione drain-source e drain-to-gate di 300V e di resistenza statica drain-source in stato attivo di 1 25Ω.

Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità di ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa resistenza in stato attivo
Privo di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Esente da piombo (Pb)
Contenitore TO-92 a 3 conduttori

Transistor MOSFET, Microchip