MOSFET Wolfspeed, canale N, 360 mΩ, 11,5 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 915-8842P
Codice costruttore:: C3M0280090D
Costruttore:: Wolfspeed

MOSFET Wolfspeed, canale N, 360 mΩ, 11,5 A, TO-247, Su foro

670 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)

Prezzo stimato (10 Unità)

44,20 €

(IVA esclusa)

53,90 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità
10 - 28	4,42 €
30 - 58	4,29 €
60 - 118	4,195 €
120 +	4,075 €

Codice RS:: 915-8842P
Codice costruttore:: C3M0280090D
Costruttore:: Wolfspeed

C3M0280090D Silicon Carbide Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Codice RS:: 915-8842P
Codice costruttore:: C3M0280090D
Costruttore:: Wolfspeed

C3M0280090D Silicon Carbide Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	11,5 A
Tensione massima drain source	900 V
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	360 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	1.8V
Dissipazione di potenza massima	54 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +18 V
Larghezza	21.1mm
Materiale del transistor	SiC
Carica gate tipica @ Vgs	9,5 nC a 15 V
Lunghezza	16.13mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	4.8V
Altezza	5.21mm

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	11,5 A
Tensione massima drain source	900 V
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	360 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	1.8V
Dissipazione di potenza massima	54 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +18 V
Larghezza	21.1mm
Materiale del transistor	SiC
Carica gate tipica @ Vgs	9,5 nC a 15 V
Lunghezza	16.13mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	4.8V
Altezza	5.21mm

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