MOSFET Microchip, canale N, 7,5 Ω, 230 mA, TO-92, Su foro

Il Microchip 2N7008 è un transistor con modalità potenziata (normalmente non attiva) che utilizza una struttura verticale DMOS. Il design combina le funzionalità di gestione dell'alimentazione di un transistor bipolare con l'alta impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo dei dispositivi MOS.

Privi di scarica secondaria
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di funzionamento in parallelo
Basso C_ISS e rapida velocità di commutazione
Stabilità termica eccellente
Diodo source-drain integrato
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno

Il transistor (normalmente spento) in modalità potenziata a canale N Microchip 2N7008 utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Questo dispositivo è privo di instabilità termica e scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica distruttiva, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione.

Privo di scarica secondaria
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di collegamento in parallelo
Basso CISS e rapida velocità di commutazione
Stabilità termica eccellente
Diodo source-drain integrato
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno
Esente da piombo (Pb)

Transistor MOSFET, Microchip