MOSFET Microchip, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 916-3725P
Codice costruttore:: DN2625DK6-G
Costruttore:: Microchip

MOSFET Microchip, canale N, 3,5 Ω, 1,1 A, DFN, Montaggio superficiale

1430 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)

Aggiunto

Prezzo per Pezzo (Fornito in vassoio antistatico)

3,016 €

(IVA esclusa)

3,68 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità
25 - 95	3,016 €
100 +	2,902 €

Codice RS:: 916-3725P
Codice costruttore:: DN2625DK6-G
Costruttore:: Microchip

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Transistor MOSFET a canale N DN2625

Il Microchip DN2625 è un transistor MOSFET con modalità di esaurimento a bassa soglia (normalmente attiva) che utilizza un'avanzata struttura DMOS verticale. Il design combina le funzionalità di gestione dell'alimentazione di un transistor bipolare con l'alta impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo dei dispositivi MOS.

Caratteristiche

Bassa tensione di soglia del gate
Progettati per essere azionati dalla sorgente
Basse perdite di commutazione
Capacità di uscita effettiva bassa
Progettato per carichi induttivi

Transistor MOSFET, Microchip

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,1 A
Tensione massima drain source	250 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	3,5 Ω
Modalità del canale	Depletion
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	7,04 nC @ 1,5 V
Lunghezza	5.1mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5.1mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.85mm
Tensione diretta del diodo	1.8V

Codice RS:: 916-3725P
Codice costruttore:: DN2625DK6-G
Costruttore:: Microchip