Demultiplexer/multiplexer ISL43L110IHZ-T
- Codice RS:
- 256-1625
- Codice costruttore:
- ISL43L110IHZ-T
- Costruttore:
- Renesas Electronics
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,188 € | 10,94 € |
| 50 - 95 | 1,854 € | 9,27 € |
| 100 - 245 | 1,59 € | 7,95 € |
| 250 - 995 | 1,496 € | 7,48 € |
| 1000 + | 1,124 € | 5,62 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 256-1625
- Codice costruttore:
- ISL43L110IHZ-T
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli Prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Numero di ingressi abilitati per elemento | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Numero di ingressi abilitati per elemento 1 | ||
L'interruttore analogico SPST Renesas è un interruttore analogico bidirezionale unipolare/a corsa singola (SPST) a bassa resistenza all'accensione, progettato per funzionare da
un'alimentazione singola da +1,1 V a +4,5 V. Le applicazioni target includono apparecchiature alimentate a batteria che traggono vantaggio da una bassa resistenza RON, un'eccellente planarità RON e velocità di commutazione rapide (tON 8 ns, tOFF 5 ns). L'ingresso logico digitale è compatibile con CMOS da 1,8 V quando si utilizza un singolo alimentatore +3 V.
un'alimentazione singola da +1,1 V a +4,5 V. Le applicazioni target includono apparecchiature alimentate a batteria che traggono vantaggio da una bassa resistenza RON, un'eccellente planarità RON e velocità di commutazione rapide (tON 8 ns, tOFF 5 ns). L'ingresso logico digitale è compatibile con CMOS da 1,8 V quando si utilizza un singolo alimentatore +3 V.
Disponibile senza piombo (conforme a
RoHS)Resistenza ON (RON) a VCC +4,3 V di 0,21 Ω, a VCC +3,0 V di 0,24 Ω, a VCC +1,8 V di 0,45 Ω,
piattazza ORON di 0,03
ΩFunzionamento con alimentazione singola da +1,1 V a +4,5
VAzione di commutazione rapida (+3,9 V di alimentazione)Valore nominale
HBM ESD >4
kV1,8 V, compatibile con la logica CMOS (+3 V di alimentazione)
RoHS)Resistenza ON (RON) a VCC +4,3 V di 0,21 Ω, a VCC +3,0 V di 0,24 Ω, a VCC +1,8 V di 0,45 Ω,
piattazza ORON di 0,03
ΩFunzionamento con alimentazione singola da +1,1 V a +4,5
VAzione di commutazione rapida (+3,9 V di alimentazione)Valore nominale
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