NVRAM Renesas Electronics, 32MB, 48 Pin, Montaggio superficiale, FBGA, Parallelo

Renesas M3xxx316 è una memoria ad accesso casuale magnetoresistiva (MRAM). È disponibile in densità da 4Mbit a 32Mbit. La tecnologia MRAM è analoga alla tecnologia flash con temporizzazioni di lettura/scrittura 35ns/35ns e 45ns/45ns compatibili con SRAM (SRAM persistente, P-SRAM). I dati sono sempre non volatili. Ciò rende MRAM una soluzione di memoria non volatile molto affidabile e veloce. MRAM è una vera memoria ad accesso casuale

Ideale per le applicazioni che devono memorizzare e recuperare dati senza incorrere in un'interfaccia con penalità di latenza elevata. La tecnologia parallela asincrona x16 utilizzata è la gamma di tensione di esercizio 40nm pMTJ STT-MRAM da 2,70 V a 3,60 V il tipo di contenitore è FBGA a 48 sfere (10mm x 10mm) conforme alla direttiva RoHS e alla DIRETTIVA REACH