Relè a stato solido G3VM-61H1, Montaggio superficiale, 0,4 A, 60 V, SPST G3VM

Relè di stato solido con uscita MOSFET e ingresso foto-LED
Coniugano i vantaggi della tecnologia meccanica e a stato solido
Bassa resistenza e capacità di uscita
Lunga durata
Ampia gamma di modelli disponibili
Ideali per le soluzioni di telecomunicazione, incluse le funzioni di impegno linea, commutazione, controllo dei trasformatori di linea e altre funzioni telefoniche

Il relè MOS FET G3VM-61H1 fa parte della serie G3VM-S1 aggiornata e offre numerosi vantaggi richiesti da relè senza necessità di manutenzione. Relè SPST-NO (normalmente aperto) con contenitore a montaggio superficiale e 6 pin. Questa serie di relè è stata progettata per la commutazione di microsegnali e segnali analogici.

• Relè a stato solido FET MOS.
• Terminali per relè con montaggio superficiale
• Tipo di contatto SPST-NO 1 a (normalmente aperto).
• SOP6 (profilo di dimensioni ridotte).
• 6 terminali per relè.
• Tensione di carico 60 V.
• Corrente di carico 400 mA max.
• Massima resistenza con uscita ON 1 Ω.
• Dispersione di corrente con relè aperto 1000 nA max.
• Capacità tra i terminali 130 pF.
• SSR - tempo di accensione 2 ms max.
• SSR - tempo di spegnimento 0,5 ms max.
• Resistenza dielettrica tra I/O 1500 Vrms.
• Commutazione di segnali analogici.
• Singolo polo, singolo contatto.
• Conformità RoHS.

• Lunga durata operativa.
• Corrente di dispersione ridotta.
• SSR con ottima resistenza agli urti.
• Elevato isolamento.
• Funzionamento silenzioso.
• Commutazione ad alta velocità.
• Controllo del microsegnale analogico.
• Ingresso Photo-LED.
• Uscita di stato.
• Compatto
• Temperatura d'esercizio, ambiente da -20°C a +65°C, senza formazione di ghiaccio o condensa.
• Temperatura di saldatura 260 °C.

• Apparecchiatura di misurazione e verifica.
• Apparecchiature di comunicazione.
• Apparecchiature per test su semiconduttori.
• Sistemi a banda larga.
• Registratori di dati.
• Sistemi di svago.