ISSI SDRAM IS42S32400J-6BLI, 128 MB Montaggio superficiale, BGA 32 bit 90 Pin

La SDRAM ISSI 128 Mb è una memoria CMOS ad accesso casuale dinamica ad alta velocità progettata per funzionare in sistemi di memoria VDD da 3,3 V e VDDQ da 3,3 V contenenti 134. 217. 728 bit. Configurato internamente come DRAM quad-bank con un'interfaccia sincrona. Ogni banco di 33. 554. 432 bit è organizzato in 4. 096 righe per 256 colonne per 32 bit. Tutti i segnali sono registrati sul bordo positivo del segnale di clock, CLK. Tutti gli ingressi e le uscite sono compatibili con LVTTL. La SDRAM da 128 MB ha la capacità di eseguire burst dati sincroni ad un'elevata velocità di trasmissione dei dati con la generazione automatica di indirizzi di colonna, la capacità di intercalare tra i banchi interni per nascondere il tempo di ricarica e la capacità di cambiare gli indirizzi di colonna in modo casuale su ogni ciclo di clock durante l'accesso burst.

Aggiornamento automatico (CBR)