Micron SDRAM MT41K64M16TW-107 IT:J, 1 GB Montaggio superficiale, TFBGA 16 bit 96 Pin
- Codice RS:
- 696-928
- Codice costruttore:
- MT41K64M16TW-107 IT:J
- Costruttore:
- Micron
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- Codice RS:
- 696-928
- Codice costruttore:
- MT41K64M16TW-107 IT:J
- Costruttore:
- Micron
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Micron | |
| Dimensione memoria | 1GB | |
| Tipo prodotto | SDRAM | |
| Larghezza bus dati | 16bit | |
| Numero bit per parola | 16 | |
| Frequenza di clock massima | 933MHz | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | TFBGA | |
| Numero pin | 96 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 95°C | |
| Altezza | 1.2mm | |
| Lunghezza | 14mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 8mm | |
| Serie | MT41K | |
| Tensione massima di alimentazione | 1.45V | |
| Tensione minima di alimentazione | 1.28V | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Micron | ||
Dimensione memoria 1GB | ||
Tipo prodotto SDRAM | ||
Larghezza bus dati 16bit | ||
Numero bit per parola 16 | ||
Frequenza di clock massima 933MHz | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package TFBGA | ||
Numero pin 96 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 95°C | ||
Altezza 1.2mm | ||
Lunghezza 14mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 8mm | ||
Serie MT41K | ||
Tensione massima di alimentazione 1.45V | ||
Tensione minima di alimentazione 1.28V | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TW
La SDRAM DDR3 di Micron utilizza un'architettura a doppia velocità di trasferimento dati per ottenere un funzionamento ad alta velocità. L'architettura a doppia velocità di trasferimento dati è un'architettura prefetch 8n con un'interfaccia progettata per trasferire due parole di dati per ciclo di clock sui pin I/O. Un'operazione di lettura o scrittura singola per la SDRAM DDR3 consiste effettivamente in un singolo trasferimento dati a 8 n bit e a quattro cicli di orologio sul nucleo DRAM interno e otto trasferimenti dati corrispondenti a n bit e a mezzo ciclo di orologio sui pin I/O.
Temperatura di auto-rinfrescamento
Auto-rinfrescamento automatico
Registro multiuso
Conformità alla direttiva RoHS
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