Winbond SDRAM LPDDR mobile, 512 MB Superficie, VFBGA 16 bit 60 Pin
- Codice RS:
- 188-2676P
- Codice costruttore:
- W949D6DBHX5I
- Costruttore:
- Winbond
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 10 - 20 | 3,214 € |
| 25 - 45 | 3,13 € |
| 50 - 95 | 3,05 € |
| 100 + | 2,974 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-2676P
- Codice costruttore:
- W949D6DBHX5I
- Costruttore:
- Winbond
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Winbond | |
| Tipo prodotto | SDRAM LPDDR mobile | |
| Dimensione memoria | 512MB | |
| Organizzazione | 64M x 8 bit | |
| Larghezza bus dati | 16bit | |
| Larghezza indirizzi bus | 15bit | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Frequenza di clock massima | 200MHz | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 5ns | |
| Numero parole | 64M | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | VFBGA | |
| Numero pin | 60 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Altezza | 0.65mm | |
| Serie | W949D6DB | |
| Larghezza | 8.1mm | |
| Standard/Approvazioni | LVCMOS Compatible | |
| Lunghezza | 9.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tensione massima di alimentazione | 1.95V | |
| Tensione minima di alimentazione | 1.7V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Winbond | ||
Tipo prodotto SDRAM LPDDR mobile | ||
Dimensione memoria 512MB | ||
Organizzazione 64M x 8 bit | ||
Larghezza bus dati 16bit | ||
Larghezza indirizzi bus 15bit | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Frequenza di clock massima 200MHz | ||
Tempo massimo di accesso casuale 5ns | ||
Numero parole 64M | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package VFBGA | ||
Numero pin 60 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Altezza 0.65mm | ||
Serie W949D6DB | ||
Larghezza 8.1mm | ||
Standard/Approvazioni LVCMOS Compatible | ||
Lunghezza 9.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Tensione massima di alimentazione 1.95V | ||
Tensione minima di alimentazione 1.7V | ||
- Paese di origine:
- TW
Si tratta di una SDRAM DDR a bassa potenza 512MB organizzata come 4M parole x 4 banchi x 16bits.
Tipo Burst: Sequenziale O Interleave
Modalità di aggiornamento automatico standard
PASR, ATCSR, modalità Di Spegnimento、DPD
Buffer di uscita programmabile con resistenza driver
Quattro banchi interni per il funzionamento simultaneo
I valori stroboscopici bidirezionali (DQS) sono trasmessi o ricevuti con i dati, per essere utilizzati nell'acquisizione dei dati in corrispondenza del ricevitore
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