SDRAM AS4C32M16SB-7TIN, 512Mbit, 200MHz, 3 V → 3,6 V, TSOP 54 Pin DDR
- Codice RS:
- 230-8428P
- Codice costruttore:
- AS4C32M16SB-7TIN
- Costruttore:
- Alliance Memory
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Unità | Per unità |
|---|---|
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| 25 - 49 | 12,61 € |
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| 75 + | 12,24 € |
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- Codice RS:
- 230-8428P
- Codice costruttore:
- AS4C32M16SB-7TIN
- Costruttore:
- Alliance Memory
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Alliance Memory | |
| Dimensioni memoria | 512Mbit | |
| Organizzazione | 32m x 16 | |
| Classe SDRAM | DDR | |
| Flusso dati | 200MHz | |
| Larghezza del bus dati | 16bit | |
| Larghezza del bus indirizzi | 13bit | |
| Numero di bit per parola | 16bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 5.4ns | |
| Numero di parole | 32 M | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Numero pin | 54 | |
| Dimensioni | 22.35 x 10.29 x 1.2mm | |
| Altezza | 1.2mm | |
| Lunghezza | 22.35mm | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 3 V | |
| Larghezza | 10.29mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Alliance Memory | ||
Dimensioni memoria 512Mbit | ||
Organizzazione 32m x 16 | ||
Classe SDRAM DDR | ||
Flusso dati 200MHz | ||
Larghezza del bus dati 16bit | ||
Larghezza del bus indirizzi 13bit | ||
Numero di bit per parola 16bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 5.4ns | ||
Numero di parole 32 M | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package TSOP | ||
Numero pin 54 | ||
Dimensioni 22.35 x 10.29 x 1.2mm | ||
Altezza 1.2mm | ||
Lunghezza 22.35mm | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 3 V | ||
Larghezza 10.29mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,6 V | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
La SDRAM 512MB Alliance Memory è una DRAM sincrona CMOS ad alta velocità contenente 512 Mbit. È configurato internamente come 4 banchi di 8M word x 16 DRAM con interfaccia sincrona (tutti i segnali sono registrati sul fronte positivo del segnale di clock, CLK). Gli accessi in lettura e scrittura alla SDRAM sono orientati al burst
gli accessi partono da una posizione selezionata e continuano per un numero programmato di posizioni in una sequenza programmata. Gli accessi iniziano con la registrazione di un comando Bank Activate seguito da un comando Read o Write.
Aggiornamento automatico e aggiornamento automatico
8192 cicli di aggiornamento/64ms
Modalità di spegnimento CKE
Alimentatore singolo da +3,3 V ±0,3 V.
8192 cicli di aggiornamento/64ms
Modalità di spegnimento CKE
Alimentatore singolo da +3,3 V ±0,3 V.
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