EERAM Microchip da 4kbit, 512k x 8 bit, 8 Pin, DIP, Su foro
- Codice RS:
- 146-3211
- Codice costruttore:
- 47L04-I/P
- Costruttore:
- Microchip
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 146-3211
- Codice costruttore:
- 47L04-I/P
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Dimensioni memoria | 4kbit | |
| Organizzazione | 512k x 8 bit | |
| Numero di parole | 512k | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Frequenza di clock | 1000kHz | |
| Bassa potenza | Sì | |
| Temporizzazione | Sincrono | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di package | DIP | |
| Numero pin | 8 | |
| Dimensioni | 10.2 x 7.1 x 4.83mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2,7 V | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Larghezza | 7.1mm | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Lunghezza | 10.2mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Dimensioni memoria 4kbit | ||
Organizzazione 512k x 8 bit | ||
Numero di parole 512k | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Frequenza di clock 1000kHz | ||
Bassa potenza Sì | ||
Temporizzazione Sincrono | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di package DIP | ||
Numero pin 8 | ||
Dimensioni 10.2 x 7.1 x 4.83mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,6 V | ||
Altezza 4.83mm | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2,7 V | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Larghezza 7.1mm | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Lunghezza 10.2mm | ||
Il modello EERAM 47C04 Microchip Technology Inc è una SRAM di 4 Kbit con backup EEPROM. La memoria EERAM I2C è un NVSRAM a basso costo che elimina lesigenza di una batteria esterna per conservare i dati. Il dispositivo è organizzato come 512 x 8 bit e utilizza l'interfaccia seriale I2C. Il modello 47C04 offre infinite possibilità di cicli di scrittura e lettura con la SRAM mentre le celle EEPROM forniscono una memorizzazione non volatile di dati a lunga durata. Con un condensatore esterno, i dati SRAM sono automaticamente trasferiti allEEPROM al momento della perdita di potenza. I dati possono anche essere trasferiti manualmente, utilizzando sia un pin di memorizzazione hardware o con comando software.
SRAM da 4 Kbit con back-up EEPROM
Memorizzazione automatica sull'EEPROM allo spegnimento (utilizzando un condensatore esterno opzionale)
Richiamo automatico allarray SRAM durante l'accensione
Pin di memorizzazione hardware per operazioni di memorizzazione manuali
Comandi software per l'avvio di operazioni di salvataggio e richiamo
Tempo di memorizzare 40 ms (max)
Memorizzazione automatica sull'EEPROM allo spegnimento (utilizzando un condensatore esterno opzionale)
Richiamo automatico allarray SRAM durante l'accensione
Pin di memorizzazione hardware per operazioni di memorizzazione manuali
Comandi software per l'avvio di operazioni di salvataggio e richiamo
Tempo di memorizzare 40 ms (max)
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