SRAM ISSI da 4Mbit, 256k x 16 bit, 48 Pin, TFBGA, Montaggio superficiale

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Codice RS:
170-2184
Codice costruttore:
IS61WV25616BLL-10BLI
Costruttore:
ISSI
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Marchio

ISSI

Dimensioni memoria

4Mbit

Organizzazione

256k x 16 bit

Numero di parole

256k

Numero di bit per parola

16bit

Tempo di accesso casuale massimo

10ns

Larghezza del bus indirizzi

18bit

Bassa potenza

Sì

Temporizzazione

Asincrono

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

TFBGA

Numero pin

48

Dimensioni

8.1 x 6.1 x 0.9mm

Tensione di alimentazione operativa massima

3,6 V

Altezza

0.9mm

Larghezza

6.1mm

Tensione di alimentazione operativa minima

2,4 V

Lunghezza

8.1mm

Minima temperatura operativa

-40 °C

Massima temperatura operativa

+85 °C

Paese di origine:
CN

RAM statica, ISSI


I prodotti con RAM statica ISSI usano la tecnologia CMOS ad alte prestazioni. Esiste una vasta gamma di RAM statiche che comprende la SRAM asincrona da 5 V ad alta velocità, la SRAM asincrona a bassa potenza e alta velocità, le SRAM asincrone da 5 V a bassa potenza, la RAM statica CMOS a bassissima potenza e le SRAM asincrone a bassa potenza PowerSaverTM. I dispositivi SRAM ISSI sono disponibili con diverse tensioni, dimensioni della memoria e organizzazioni. Sono utilizzabili in applicazioni come la memoria cache CPU, i processori integrati, il disco rigido e gli interruttori nell'elettronica industriale.

Alimentatore: 1,8 V/3,3 V/5 V
Pacchetti disponibili: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
Configurazione disponibili: x8 e x16
Funzione ECC disponibile per SRAM asincrone ad alta velocità


SRAM (memoria ad accesso causale statica)