Memoria SRAM Cypress Semiconductor da 16Mbit, 1M x 16 bit, 54 Pin, TSOP, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 181-7613P
- Codice costruttore:
- CY7C1061GE30-10ZSXI
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità (fornito in vassoio)*
30,09 €
(IVA esclusa)
36,71 €
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Unità | Per unità |
|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 181-7613P
- Codice costruttore:
- CY7C1061GE30-10ZSXI
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 16Mbit | |
| Organizzazione | 1M x 16 bit | |
| Numero di parole | 1M | |
| Numero di bit per parola | 16bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 10ns | |
| Larghezza del bus indirizzi | 16bit | |
| Frequenza di clock | 100MHz | |
| Bassa potenza | Sì | |
| Temporizzazione | Asincrono | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | TSOP | |
| Numero pin | 54 | |
| Dimensioni | 22.51 x 10.26 x 1.05mm | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 3,6 V | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2,2 V | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Larghezza | 10.26mm | |
| Lunghezza | 22.51mm | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 16Mbit | ||
Organizzazione 1M x 16 bit | ||
Numero di parole 1M | ||
Numero di bit per parola 16bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 10ns | ||
Larghezza del bus indirizzi 16bit | ||
Frequenza di clock 100MHz | ||
Bassa potenza Sì | ||
Temporizzazione Asincrono | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package TSOP | ||
Numero pin 54 | ||
Dimensioni 22.51 x 10.26 x 1.05mm | ||
Altezza 1.05mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 3,6 V | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2,2 V | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Larghezza 10.26mm | ||
Lunghezza 22.51mm | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
CY7C1061G e CY7C1061GE sono dispositivi RAM CMOS statica veloce ad elevate prestazioni con ECC incorporato. Entrambi i dispositivi sono offerti in opzioni di abilitazione chip singolo e doppio e in configurazioni di pin multiple. Il dispositivo CY7C1061GE comprende un pin ERR che segnala un rilevamento errori a 1 bit e evento di correzione durante un ciclo di lettura.
Elevata velocità
tAA = 10 ns/15 ns
Codice di correzione degli errori incorporato (ECC) per errore bit singolo
Correzione [1, 2]
Bassa corrente in standby e d'esercizio
ICC = 90 mA tipico a 100 MHz
ISB2 = 20 mA tipico
Gamma di tensione di esercizio: da 1,65 V a 2,2 V, da 2,2 V a 3,6 V, e
Da 4,5 V a 5,5 V
1,0 V di conservazione dei dati
Ingressi e uscite compatibili transistor-transistor logic (TTL)
Pin indicazione di errore (ERR) a 1 bit per indicare il rilevamento e la correzione di errore da 1 bit
Disponibili in contenitori senza piombo a 48 pin, TSOP I 54 pin TSOP II e a 48 sfere VFBGA
tAA = 10 ns/15 ns
Codice di correzione degli errori incorporato (ECC) per errore bit singolo
Correzione [1, 2]
Bassa corrente in standby e d'esercizio
ICC = 90 mA tipico a 100 MHz
ISB2 = 20 mA tipico
Gamma di tensione di esercizio: da 1,65 V a 2,2 V, da 2,2 V a 3,6 V, e
Da 4,5 V a 5,5 V
1,0 V di conservazione dei dati
Ingressi e uscite compatibili transistor-transistor logic (TTL)
Pin indicazione di errore (ERR) a 1 bit per indicare il rilevamento e la correzione di errore da 1 bit
Disponibili in contenitori senza piombo a 48 pin, TSOP I 54 pin TSOP II e a 48 sfere VFBGA