Memoria SRAM Cypress Semiconductor da 1Mbit, 128000 byte x 8 bit, 16 Pin, SOIC, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 181-8377
- Codice costruttore:
- CY14B101PA-SFXI
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
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- Codice RS:
- 181-8377
- Codice costruttore:
- CY14B101PA-SFXI
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 1Mbit | |
| Organizzazione | 128000 byte x 8 bit | |
| Numero di parole | 128k | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 15ns | |
| Frequenza di clock | 104MHz | |
| Bassa potenza | Sì | |
| Temporizzazione | Sincrono | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 16 | |
| Dimensioni | 10.49 x 7.59 x 2.36mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 2,6 V | |
| Altezza | 2.36mm | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2,4 V | |
| Lunghezza | 10.49mm | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Larghezza | 7.59mm | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 1Mbit | ||
Organizzazione 128000 byte x 8 bit | ||
Numero di parole 128k | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 15ns | ||
Frequenza di clock 104MHz | ||
Bassa potenza Sì | ||
Temporizzazione Sincrono | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 16 | ||
Dimensioni 10.49 x 7.59 x 2.36mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 2,6 V | ||
Altezza 2.36mm | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2,4 V | ||
Lunghezza 10.49mm | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Larghezza 7.59mm | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Cypress CY14X101PA combina una SRAM da 1 Mbit nv[1] con un RTC completo in un circuito integrato monolitico con interfaccia SPI seriale. La memoria è organizzata come 128K parole di 8 bit ciascuno. Gli elementi non volatili incorporati incorporano la tecnologia Quantum Trap, creando la memoria non volatile più affidabile al mondo. La SRAM fornisce cicli di lettura e scrittura infiniti, mentre le celle Quantum Trap forniscono una memorizzazione non volatile dei dati estremamente affidabile. I trasferimenti di dati dalla SRAM agli elementi non volatili (operazione DI MEMORIZZAZIONE) avvengono automaticamente allo spegnimento. All'accensione, i dati vengono ripristinati nella SRAM dalla memoria non volatile (operazione DI RICHIAMO). È inoltre possibile avviare le operazioni DI MEMORIZZAZIONE e RICHIAMO tramite l'istruzione SPI.
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