Memoria SRAM Cypress Semiconductor da 256kbit, 32k x 8 bit, 85 Pin, SOJ, Su foro
- Codice RS:
- 193-8471
- Codice costruttore:
- CY7C199D-10VXIT
- Costruttore:
- Cypress Semiconductor
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
- Codice RS:
- 193-8471
- Codice costruttore:
- CY7C199D-10VXIT
- Costruttore:
- Cypress Semiconductor
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Cypress Semiconductor | |
| Dimensioni memoria | 256kbit | |
| Organizzazione | 32k x 8 bit | |
| Numero di parole | 32k | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 10ns | |
| Larghezza del bus indirizzi | 8bit | |
| Frequenza di clock | 1MHz | |
| Temporizzazione | Asincrono | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di package | SOJ | |
| Numero pin | 85 | |
| Dimensioni | 11.9 x 8.1 x 1mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 6 V | |
| Altezza | 1mm | |
| Larghezza | 8.1mm | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | -0,5 V | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Lunghezza | 11.9mm | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Cypress Semiconductor | ||
Dimensioni memoria 256kbit | ||
Organizzazione 32k x 8 bit | ||
Numero di parole 32k | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 10ns | ||
Larghezza del bus indirizzi 8bit | ||
Frequenza di clock 1MHz | ||
Temporizzazione Asincrono | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di package SOJ | ||
Numero pin 85 | ||
Dimensioni 11.9 x 8.1 x 1mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 6 V | ||
Altezza 1mm | ||
Larghezza 8.1mm | ||
Tensione di alimentazione operativa minima -0,5 V | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Lunghezza 11.9mm | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Gamma di temperature
Da -40 °C a 85 °C.
Pin e funzione compatibili con CY7C199C
Alta velocità
tAA = 10 ns
Bassa potenza attiva
ICC = 80 ma a 10 ns
Bassa potenza di standby CMOS
ISB2 = 3 ma
Memorizzazione V Data Retention
Spegnimento automatico se deselezionato
Semiconduttore di ossido metallico complementare (CMOS) per velocità/potenza ottimali
Ingressi e uscite compatibili transistor-transistor logic (TTL)
Facile espansione della memoria grazie alle funzioni CE e OE
Disponibile in contenitori stampati a profilo piccolo con profilo a J a 28 pin 300-Mil-free e contenitore sottile a 28 pin con profilo piccolo (SOJ) i
Da -40 °C a 85 °C.
Pin e funzione compatibili con CY7C199C
Alta velocità
tAA = 10 ns
Bassa potenza attiva
ICC = 80 ma a 10 ns
Bassa potenza di standby CMOS
ISB2 = 3 ma
Memorizzazione V Data Retention
Spegnimento automatico se deselezionato
Semiconduttore di ossido metallico complementare (CMOS) per velocità/potenza ottimali
Ingressi e uscite compatibili transistor-transistor logic (TTL)
Facile espansione della memoria grazie alle funzioni CE e OE
Disponibile in contenitori stampati a profilo piccolo con profilo a J a 28 pin 300-Mil-free e contenitore sottile a 28 pin con profilo piccolo (SOJ) i
Link consigliati
- Memoria SRAM Cypress Semiconductor da 256kbit 28 Pin Montaggio superficiale
- SRAM Infineon da 256kbit 28 Pin Montaggio superficiale
- SRAM Cypress Semiconductor da 4096kbit 32 Pin Montaggio superficiale
- Memoria FRAM Cypress Semiconductor 256kbit 32K x 8 bit, AEC-Q100
- Memoria FRAM Cypress Semiconductor 256kbit 32K x 8 bit, AEC-Q100
- Memoria SRAM Renesas Electronics da 256kbit, 32K x 8
- Memoria SRAM Cypress Semiconductor da 4Mbit 44 Pin Montaggio superficiale
- SRAM Alliance Memory da 256kbit 28 Pin Montaggio superficiale
