Cypress Semiconductor, CY7C1061GN30-10ZS
- Codice RS:
- 194-8926
- Codice costruttore:
- CY7C1061GN30-10ZSXI
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 194-8926
- Codice costruttore:
- CY7C1061GN30-10ZSXI
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 16Mbit | |
| Organizzazione | 1 M x 16 | |
| Numero di bit per parola | 16bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 10ns | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 16Mbit | ||
Organizzazione 1 M x 16 | ||
Numero di bit per parola 16bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 10ns | ||
Cypress Semiconductor CY7C1061GN/CY7C10612GN è una RAM statica CMOS ad alte prestazioni organizzata come 1.048.576 parole da 16 bit. I pin di ingresso o uscita sono collocati in uno stato di impedenza alta quando il dispositivo è deselezionato, le uscite sono disattivate, i pin BHE e BLE sono disabilitati, o durante un'operazione di scrittura.
Alta velocità tipica di 10 ns
Bassa potenza attiva
Spegnimento automatico deselezionato
Ingressi e uscite compatibili TTL
Disponibile in opzioni di abilitazione a doppio chip
Bassa potenza attiva
Spegnimento automatico deselezionato
Ingressi e uscite compatibili TTL
Disponibile in opzioni di abilitazione a doppio chip
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