SRAM Renesas Electronics da 16kB, 2K x 8

La SRAM CMOS Renesas Electronics è organizzata come 2K x 8. La SRAM offre una modalità di standby a potenza ridotta. La versione a bassa potenza (LA) offre anche una capacità di conservazione dati di backup della batteria in cui il circuito consuma tipicamente solo da 1 μW a 4 μW in funzionamento con una batteria da 2 V. Tutti gli ingressi e le uscite sono compatibili con TTL. Si utilizzano circuiti asincroni completamente statici, che non richiedono clock o aggiornamento per il funzionamento. È disponibile un prodotto di grado militare.

Basso consumo energetico
Funzionamento con batteria di backup, tensione di conservazione dati 2 V
Prodotto con tecnologia CMOS avanzata ad alte prestazioni
Il processo CMOS elimina praticamente i tassi di errore morbido delle particelle alfa
Ingresso e uscita direttamente compatibili con TTL
Non sono richiesti orologi o aggiornamenti