SRAM Renesas Electronics 71024S20TYG8 da 1 MB, 32 Pin, SOJ, Superficie
- Codice RS:
- 264-1294P
- Codice costruttore:
- 71024S20TYG8
- Costruttore:
- Renesas Electronics
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-1294P
- Codice costruttore:
- 71024S20TYG8
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Dimensione memoria | 1MB | |
| Tipo prodotto | SRAM | |
| Numero parole | 128k | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 20ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 4.5V | |
| Tipo di temporizzazione | Asincrono | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tensione massima di alimentazione | 5.5V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tipo di package | SOJ | |
| Temperatura massima di funzionamento | 70°C | |
| Numero pin | 32 | |
| Serie | 71024S | |
| Lunghezza | 21.95mm | |
| Altezza | 2.67mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 7.6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Corrente di alimentazione | 160mA | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Dimensione memoria 1MB | ||
Tipo prodotto SRAM | ||
Numero parole 128k | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Tempo massimo di accesso casuale 20ns | ||
Tensione minima di alimentazione 4.5V | ||
Tipo di temporizzazione Asincrono | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tensione massima di alimentazione 5.5V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tipo di package SOJ | ||
Temperatura massima di funzionamento 70°C | ||
Numero pin 32 | ||
Serie 71024S | ||
Lunghezza 21.95mm | ||
Altezza 2.67mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 7.6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Corrente di alimentazione 160mA | ||
- Paese di origine:
- TW
La RAM statica ad alta velocità Renesas Electronics è organizzata come 128 K x 8. È realizzato utilizzando la tecnologia CMOS ad alte prestazioni e alta affidabilità. Questa tecnologia all'avanguardia, combinata con tecniche innovative di progettazione dei circuiti, fornisce una soluzione conveniente per le esigenze di memoria ad alta velocità.
Basso consumo energetico tramite deselezione del chip
Disponibile in plastica SOJ da 300 e 400 mil
Tempi di accesso e ciclo uguali