SRAM Renesas Electronics 71V016SA12PHG8 da 1 MB, 48 Pin, Superficie
- Codice RS:
- 264-1296P
- Codice costruttore:
- 71V016SA12PHG8
- Costruttore:
- Renesas Electronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 95 | 2,264 € |
| 100 - 245 | 2,02 € |
| 250 - 495 | 1,97 € |
| 500 + | 1,958 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-1296P
- Codice costruttore:
- 71V016SA12PHG8
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Dimensione memoria | 1MB | |
| Tipo prodotto | SRAM | |
| Numero parole | 64K | |
| Numero bit per parola | 16 | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 20ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 3V | |
| Tipo di temporizzazione | Asincrono | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Numero pin | 48 | |
| Larghezza | 10.16mm | |
| Lunghezza | 18.41mm | |
| Serie | IDT71V016 | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Corrente di alimentazione | 170mA | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Dimensione memoria 1MB | ||
Tipo prodotto SRAM | ||
Numero parole 64K | ||
Numero bit per parola 16 | ||
Tempo massimo di accesso casuale 20ns | ||
Tensione minima di alimentazione 3V | ||
Tipo di temporizzazione Asincrono | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Numero pin 48 | ||
Larghezza 10.16mm | ||
Lunghezza 18.41mm | ||
Serie IDT71V016 | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Corrente di alimentazione 170mA | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TW
La RAM statica ad alta velocità Renesas Electronics è organizzata come 64K x 16. È realizzata utilizzando la tecnologia CMOS ad alte prestazioni e alta affidabilità. Questa tecnologia all'avanguardia, combinata con tecniche innovative di progettazione dei circuiti, fornisce una soluzione conveniente per le esigenze di memoria ad alta velocità.
Basso consumo energetico tramite deselezione del chip
Tempi di accesso e cicli uguali