SRAM Infineon da 8 MB, 512k x 16, 54 Pin, TSOP, Superficie

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Codice RS:
273-5254
Codice costruttore:
CY14B108N-ZSP45XI
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensione memoria

8MB

Tipo prodotto

SRAM

Organizzazione

512k x 16

Numero parole

512K

Numero bit per parola

16

Tempo massimo di accesso casuale

45ns

Tensione minima di alimentazione

0.5V

Tensione massima di alimentazione

4.1V

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

TSOP

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Numero pin

54

Larghezza

1.05 mm

Lunghezza

22.52mm

Altezza

10.26mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

CY14B108N

Standard automobilistico

No

La SRAM Infineon è una RAM statica veloce con un elemento non volatile in ogni cella di memoria. La memoria è organizzata come 1024 Kbyte di 8 bit ciascuno o 512 K parole di 16 bit ciascuno. Gli elementi non volatili incorporati incorporano la tecnologia Quantum Trap, producendo la memoria non volatile più affidabile al mondo. La SRAM fornisce cicli di lettura e scrittura infiniti, mentre i dati non volatili indipendenti risiedono nella cella Quantum Trap estremamente affidabile. I trasferimenti di dati dalla SRAM agli elementi non volatili avvengono automaticamente all'arresto dell'alimentazione. All'accensione, i dati vengono ripristinati nella SRAM dalla memoria non volatile. Sia le operazioni STORE che RECALL sono disponibili anche sotto il controllo del software.

Senza piombo

Conforme a RoHS

20 anni di conservazione dei dati

Infiniti cicli di lettura, scrittura e richiamo

1 milione di cicli di memorizzazione su QuantumTrap

RICHIAMO alla SRAM avviata dal software o dall'alimentazione

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