Strumento di sviluppo comunicazione e wireless NXP Reference Circuit, 27MHz

Il transistor MOSFET laterale enhancement-mode a canale N ad alta robustezza, progettato per l'uso in applicazioni industriali, mediche, broadcast, aerospaziali e radio mobili ad alto VSWR. Con un design di ingresso e di uscita ineguagliabile, questo transistor supporta una gamma di frequenze da 1,8 a 400 MHz, rendendolo ideale per un'ampia gamma di applicazioni.

Progettato per applicazioni industriali, mediche, broadcast, aerospaziali e radio mobili ad alto VSWR
Il design impareggiabile degli ingressi e delle uscite supporta un'ampia gamma di frequenze da 1,8 a 400 MHz
Capacità di potenza RF a banda larga per prestazioni eccellenti
Elevata tensione di breakdown per una maggiore affidabilità
Protezione ESD integrata per un migliore funzionamento in Classe C
Adatto all'uso in applicazioni ad alto VSWR con una durata eccellente