Modulo di sviluppo STGAP3SXS STMicroelectronics

I driver a gate singolo protetti con isolamento galvanico della STMicroelectronics forniscono un isolamento galvanico tra il canale di pilotaggio del gate e i circuiti di controllo e interfaccia a bassa tensione. La piattaforma comprende diverse opzioni con capacità di corrente di 10 A e 6 A, ciascuna delle quali è disponibile con varianti UVLO dedicate per MOSFET e IGBT SiC. È disponibile anche una protezione dalla desaturazione ultraveloce con soglie di intervento differenziate.

Guida ad alta tensione fino a 1200 V
75 ns ritardo di propagazione ingresso-uscita
Driver Miller CLAMP per MOSFET esterno a canale N
Funzione di spegnimento morbido regolabile
VH UVLO IGBT e varianti SiC
Protezione dalla desaturazione IGBT e varianti SiC
Tensione di pilotaggio del gate fino a 32 V