- Codice RS:
- 112-5510
- Codice costruttore:
- PMBFJ177,215
- Costruttore:
- NXP
Prodotto discontinuato
- Codice RS:
- 112-5510
- Codice costruttore:
- PMBFJ177,215
- Costruttore:
- NXP
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
JFET a canale P, NXP
Transistor JFET
Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | P |
Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss | 1.5 to 20mA |
Tensione massima drain source | 30 V |
Tensione massima gate source | +30 V |
Tensione massima drain gate | 30V |
Configurazione | Single |
Configurazione transistor | Singolo |
Resistenza massima drain source | 300 Ω |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Tipo di package | SOT-23 |
Numero pin | 3 |
Dimensioni | 3 x 1.4 x 1mm |
Larghezza | 1.4mm |
Lunghezza | 3mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Altezza | 1mm |
Minima temperatura operativa | -65 °C |
- Codice RS:
- 112-5510
- Codice costruttore:
- PMBFJ177,215
- Costruttore:
- NXP