MOSFET ON Semiconductor, canale N, 7,8 mΩ, 132 A, SO-8FL, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
867-3261
Codice costruttore:
NTMFS6B03NT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

132 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

SO-8FL

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

7,8 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Dissipazione di potenza massima

165 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

6.1mm

Larghezza

5.1mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

58 nC a 10 V

Altezza

1.05mm

Tensione diretta del diodo

1.2V

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor



Transistor MOSFET, ON Semiconductor