MOSFET

MOSFET, o transistor MOSFET, è l’acronimo di "metal-oxide-semiconductor field-effect transistor" (transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo). I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. "Effetto campo" vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico. Funziona in modo molto simile a un interruttore e viene utilizzato per commutare o amplificare i segnali elettronici.


Questi dispositivi a semiconduttore sono degli IC (circuiti integrati) montati su circuiti stampati. I MOSFET sono disponibili in tipi di contenitori standard quali DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 e TO-220.


Cosa sono le modalità di esaurimento e miglioramento?


I transistor MOSFET sono dotati di due modalità: potenziata e di impoverimento.
La modalità di impoverimento MOSFET funziona come un interruttore chiuso. La corrente passa quando non viene applicata alcuna corrente. Il flusso di corrente si arresta se viene applicata una tensione negativa.
La modalità potenziata MOSFET è simile a una resistenza variabile e generalmente più diffusa della modalità di impoverimento MOSFET. Entrambe le modalità sono fornite in varianti a canale N o a canale P.


Come funzionano i MOSFET?


I pin di un contenitore MOSFET sono denominati Source, Gate e Drain. Se si applica una tensione tra i terminali Gate e Source, la corrente può passare dal pin Drain al pin Source. Se la tensione applicata al Gate cambia, cambia anche la resistenza da Drain a Source. Minore è la tensione applicata, maggiore è la resistenza. Se la tensione aumenta, la resistenza da Drain a Source diminuisce.
I MOSFET di potenza sono simili ai MOSFET standard, ma sono progettati per gestire un livello di potenza più alto.


MOSFET a canale N e MOSFET a canale P


I MOSFET sono realizzati in silicio miscelato di tipo P o di tipo N.


  • I MOSFET alt;lt/>/strong> canale N contengono elettroni in più, in movimento libero. Sono il tipo di canale più diffuso. I MOSFET a canale N funzionano quando viene applicata una carica positiva al terminale Gate.


  • Il substrato dei MOSFET a

  • canale P contiene elettroni e fori di elettroni. I MOSFET a canale P sono collegati ad una tensione positiva. Questi MOSFET si attivano se la tensione fornita al terminale Gate è inferiore rispetto alla tensione Source.

Dove vengono utilizzati i MOSFET?


I MOSFET si trovano in molte applicazioni, quali i microprocessori e altri componenti di memoria. I transistor MOSFET sono utilizzati più comunemente come un interruttore a tensione controllata all'interno dei circuiti.



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Descrizione Prezzo Tipo di canale Corrente massima continuativa di drain Tensione massima drain source Resistenza massima drain source Tensione massima gate source Tensione di soglia gate massima Tensione di soglia gate minima Tipo di montaggio Tipo di package Configurazione transistor Numero pin Carica gate tipica @ Vgs Modalità del canale Dissipazione di potenza massima
Codice RS 541-0862
Codice costruttoreIRFP9240PBF
MarchioVishay
€ 2,85
Unità
Unità
P 12 A 200 V 500 mΩ -20 V, +20 V - 2V Su foro TO247AC Singolo 3 44 nC a 10 V Enhancement 150 W
Codice RS 178-0786
Codice costruttoreIRFP9240PBF
MarchioVishay
€ 2,303
Each (In a Tube of 25)
Unità
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Codice RS 787-9140
Codice costruttoreIRFP460BPBF
MarchioVishay
€ 3,21
Unità
Unità
N 20 A 500 V 250 mΩ -20 V, +20 V - 2V Su foro TO247AC Singolo 3 85 nC a 10 V Enhancement 278 W
Codice RS 159-6516
Codice costruttoreIRFP460BPBF
MarchioVishay
€ 2,852
Each (In a Tube of 25)
Unità
N 20 A 500 V 250 mΩ -20 V, +20 V - 2V Su foro TO247AC Singolo 3 85 nC a 10 V Enhancement 278 W
Codice RS 178-0835
Codice costruttoreIRF840APBF
MarchioVishay
€ 1,323
Each (In a Tube of 50)
Unità
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Codice RS 542-9440
Codice costruttoreIRF840APBF
MarchioVishay
€ 1,47
Unità
Unità
N 8 A 500 V 850 mΩ -30 V, +30 V - 2V Su foro TO-220AB Singolo 3 38 nC a 10 V Enhancement 125 W
Codice RS 541-1039
Codice costruttoreIRFD110PBF
MarchioVishay
€ 0,70
Unità
Unità
N 1 A 100 V 540 mΩ -20 V, +20 V - 2V Su foro HVMDIP Singolo 4 8,3 nC a 10 V Enhancement 1,3 W
Codice RS 919-4498
Codice costruttoreIRFD110PBF
MarchioVishay
€ 0,412
Each (In a Tube of 100)
Unità
N 1 A 100 V 540 mΩ -20 V, +20 V - 2V Su foro HVMDIP Singolo 4 8,3 nC a 10 V Enhancement 1,3 W
Codice RS 178-0834
Codice costruttoreIRF830APBF
MarchioVishay
€ 1,049
Each (In a Tube of 50)
Unità
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Codice RS 542-9434
Codice costruttoreIRF830APBF
MarchioVishay
€ 1,34
Unità
Unità
N 5 A 500 V 1,4 Ω -30 V, +30 V - 2V Su foro TO-220AB Singolo 3 24 nC a 10 V Enhancement 74 W
Codice RS 919-4205
Codice costruttoreSI2318CDS-T1-GE3
MarchioVishay
€ 0,125
Unità (Su Bobina da 3000)
Unità
N 5,6 A 40 V 51 mΩ -20 V, +20 V - 1.2V Montaggio superficiale SOT-23 Singolo 3 5,8 nC a 10 V Enhancement 2,1 W
Codice RS 787-9036
Codice costruttoreSI2318CDS-T1-GE3
MarchioVishay
€ 0,272
1pz in confezione da 20
Unità
N 5,6 A 40 V 51 mΩ -20 V, +20 V - 1.2V Montaggio superficiale SOT-23 Singolo 3 5,8 nC a 10 V Enhancement 2,1 W
Codice RS 178-0801
Codice costruttoreIRFP450APBF
MarchioVishay
€ 2,904
Each (In a Tube of 25)
Unità
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Codice RS 543-0030
Codice costruttoreIRFP450APBF
MarchioVishay
€ 3,83
Unità
Unità
N 14 A 500 V 400 mΩ -30 V, +30 V - 2V Su foro TO247AC Singolo 3 64 nC a 10 V Enhancement 190 W
Codice RS 177-7598
Codice costruttoreIRFL110TRPBF
MarchioVishay
€ 0,376
Unità (Su Bobina da 2500)
Unità
N 1,5 A 100 V 540 mΩ -20 V, +20 V - 2V Montaggio superficiale SOT-223 Singolo 3 + Tab 8,3 nC a 10 V Enhancement 3,1 W
Codice RS 787-9033
Codice costruttoreIRFL110TRPBF
MarchioVishay
€ 0,537
1pz in confezione da 10
Unità
N 1,5 A 100 V 540 mΩ -20 V, +20 V - 2V Montaggio superficiale SOT-223 Singolo 3 + Tab 8,3 nC a 10 V Enhancement 3,1 W
Codice RS 541-0020
Codice costruttoreIRF740PBF
MarchioVishay
€ 1,54
Unità
Unità
N 10 A 400 V 550 mΩ -20 V, +20 V - 2V Su foro TO-220AB Singolo 3 63 nC a 10 V Enhancement 125 W
Codice RS 543-1702
Codice costruttoreIRLU014PBF
MarchioVishay
€ 0,252
1pz in confezione da 5
Unità
N 7,7 A 60 V 200 mΩ -10 V, +10 V - 1V Su foro IPAK (TO-251) Singolo 3 8,4 nC a 5 V Enhancement 2,5 W
Codice RS 178-0910
Codice costruttoreIRLU014PBF
MarchioVishay
€ 0,242
Each (In a Tube of 75)
Unità
N 7,7 A 60 V 200 mΩ -10 V, +10 V - 1V Su foro IPAK (TO-251) Singolo 3 8,4 nC a 5 V Enhancement 2,5 W
Codice RS 178-0812
Codice costruttoreIRF740PBF
MarchioVishay
€ 1,245
Each (In a Tube of 50)
Unità
N 10 A 400 V 550 mΩ -20 V, +20 V - 2V Su foro TO-220AB Singolo 3 63 nC a 10 V Enhancement 125 W