MOSFET

MOSFET, o transistor MOSFET, è lacronimo di "metal-oxide-semiconductor field-effect transistor" (transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo). I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. "Effetto campo" vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico. Funziona in modo molto simile a un interruttore e viene utilizzato per commutare o amplificare i segnali elettronici.

Questi dispositivi a semiconduttore sono degli IC (circuiti integrati) montati su circuiti stampati. I MOSFET sono disponibili in tipi di contenitori standard quali DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 e TO-220.

Cosa sono le modalità di esaurimento e miglioramento?

I transistor MOSFET sono dotati di due modalità: potenziata e di impoverimento.La modalità di impoverimento MOSFET funziona come un interruttore chiuso. La corrente passa quando non viene applicata alcuna corrente. Il flusso di corrente si arresta se viene applicata una tensione negativa.La modalità potenziata MOSFET è simile a una resistenza variabile e generalmente più diffusa della modalità di impoverimento MOSFET. Entrambe le modalità sono fornite in varianti a canale N o a canale P.

Come funzionano i MOSFET?

I pin di un contenitore MOSFET sono denominati Source, Gate e Drain. Se si applica una tensione tra i terminali Gate e Source, la corrente può passare dal pin Drain al pin Source. Se la tensione applicata al Gate cambia, cambia anche la resistenza da Drain a Source. Minore è la tensione applicata, maggiore è la resistenza. Se la tensione aumenta, la resistenza da Drain a Source diminuisce.I MOSFET di potenza sono simili ai MOSFET standard, ma sono progettati per gestire un livello di potenza più alto.

MOSFET a canale N e MOSFET a canale P

I MOSFET sono realizzati in silicio miscelato di tipo P o di tipo N.

  • I MOSFET alt;lt/>/strong> canale N contengono elettroni in più, in movimento libero. Sono il tipo di canale più diffuso. I MOSFET a canale N funzionano quando viene applicata una carica positiva al terminale Gate.

  • Il substrato dei MOSFET a

  • canale P contiene elettroni e fori di elettroni. I MOSFET a canale P sono collegati ad una tensione positiva. Questi MOSFET si attivano se la tensione fornita al terminale Gate è inferiore rispetto alla tensione Source.

Dove vengono utilizzati i MOSFET?

I MOSFET si trovano in molte applicazioni, quali i microprocessori e altri componenti di memoria. I transistor MOSFET sono utilizzati più comunemente come un interruttore a tensione controllata all'interno dei circuiti.

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Descrizione Prezzo Tipo di canale Corrente massima continuativa di drain Tensione massima drain source Resistenza massima drain source Tensione massima gate source Tipo di package Tensione di soglia gate massima Tipo di montaggio Numero pin Tensione di soglia gate minima Modalità del canale Carica gate tipica @ Vgs Dissipazione di potenza massima Configurazione transistor
Codice RS 541-0862
Codice costruttoreIRFP9240PBF
MarchioVishay
€ 2,73
Unità
Unità
P 12 A 200 V 500 mΩ -20 V, +20 V TO247AC - Su foro 3 2V Enhancement 44 nC a 10 V 150 W Singolo
Codice RS 178-0786
Codice costruttoreIRFP9240PBF
MarchioVishay
€ 2,21
Each (In a Tube of 25)
Unità
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Codice RS 159-6516
Codice costruttoreIRFP460BPBF
MarchioVishay
€ 2,458
Each (In a Tube of 25)
Unità
N 20 A 500 V 250 mΩ -20 V, +20 V TO247AC - Su foro 3 2V Enhancement 85 nC a 10 V 278 W Singolo
Codice RS 787-9140
Codice costruttoreIRFP460BPBF
MarchioVishay
€ 3,04
Unità
Unità
N 20 A 500 V 250 mΩ -20 V, +20 V TO247AC - Su foro 3 2V Enhancement 85 nC a 10 V 278 W Singolo
Codice RS 178-0835
Codice costruttoreIRF840APBF
MarchioVishay
€ 1,207
Each (In a Tube of 50)
Unità
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Codice RS 542-9440
Codice costruttoreIRF840APBF
MarchioVishay
€ 2,20
Unità
Unità
N 8 A 500 V 850 mΩ -30 V, +30 V TO-220AB - Su foro 3 2V Enhancement 38 nC a 10 V 125 W Singolo
Codice RS 919-4498
Codice costruttoreIRFD110PBF
MarchioVishay
€ 0,399
Each (In a Tube of 100)
Unità
N 1 A 100 V 540 mΩ -20 V, +20 V HVMDIP - Su foro 4 2V Enhancement 8,3 nC a 10 V 1,3 W Singolo
Codice RS 541-1039
Codice costruttoreIRFD110PBF
MarchioVishay
€ 2,20
Unità
Unità
N 1 A 100 V 540 mΩ -20 V, +20 V HVMDIP - Su foro 4 2V Enhancement 8,3 nC a 10 V 1,3 W Singolo
Codice RS 542-9434
Codice costruttoreIRF830APBF
MarchioVishay
€ 2,20
Unità
Unità
N 5 A 500 V 1,4 Ω -30 V, +30 V TO-220AB - Su foro 3 2V Enhancement 24 nC a 10 V 74 W Singolo
Codice RS 178-0834
Codice costruttoreIRF830APBF
MarchioVishay
€ 0,981
Each (In a Tube of 50)
Unità
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Codice RS 787-9036
Codice costruttoreSI2318CDS-T1-GE3
MarchioVishay
€ 0,118
1pz in confezione da 20
Unità
N 5,6 A 40 V 51 mΩ -20 V, +20 V SOT-23 - Montaggio superficiale 3 1.2V Enhancement 5,8 nC a 10 V 2,1 W Singolo
Codice RS 919-4205
Codice costruttoreSI2318CDS-T1-GE3
MarchioVishay
€ 0,119
Unità (Su Bobina da 3000)
Unità
N 5,6 A 40 V 51 mΩ -20 V, +20 V SOT-23 - Montaggio superficiale 3 1.2V Enhancement 5,8 nC a 10 V 2,1 W Singolo
Codice RS 178-0801
Codice costruttoreIRFP450APBF
MarchioVishay
€ 2,296
Each (In a Tube of 25)
Unità
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Codice RS 543-0030
Codice costruttoreIRFP450APBF
MarchioVishay
€ 2,71
Unità
Unità
N 14 A 500 V 400 mΩ -30 V, +30 V TO247AC - Su foro 3 2V Enhancement 64 nC a 10 V 190 W Singolo
Codice RS 787-9033
Codice costruttoreIRFL110TRPBF
MarchioVishay
€ 0,453
1pz in confezione da 10
Unità
N 1,5 A 100 V 540 mΩ -20 V, +20 V SOT-223 - Montaggio superficiale 3 + Tab 2V Enhancement 8,3 nC a 10 V 3,1 W Singolo
Codice RS 177-7598
Codice costruttoreIRFL110TRPBF
MarchioVishay
€ 0,205
Unità (Su Bobina da 2500)
Unità
N 1,5 A 100 V 540 mΩ -20 V, +20 V SOT-223 - Montaggio superficiale 3 + Tab 2V Enhancement 8,3 nC a 10 V 3,1 W Singolo
Codice RS 178-0910
Codice costruttoreIRLU014PBF
MarchioVishay
€ 0,744
Each (In a Tube of 75)
Unità
N 7,7 A 60 V 200 mΩ -10 V, +10 V IPAK (TO-251) - Su foro 3 1V Enhancement 8,4 nC a 5 V 2,5 W Singolo
Codice RS 178-0812
Codice costruttoreIRF740PBF
MarchioVishay
€ 1,143
Each (In a Tube of 50)
Unità
N 10 A 400 V 550 mΩ -20 V, +20 V TO-220AB - Su foro 3 2V Enhancement 63 nC a 10 V 125 W Singolo
Codice RS 541-0020
Codice costruttoreIRF740PBF
MarchioVishay
€ 2,20
Unità
Unità
N 10 A 400 V 550 mΩ -20 V, +20 V TO-220AB - Su foro 3 2V Enhancement 63 nC a 10 V 125 W Singolo
Codice RS 543-1702
Codice costruttoreIRLU014PBF
MarchioVishay
€ 0,852
1pz in confezione da 5
Unità
N 7,7 A 60 V 200 mΩ -10 V, +10 V IPAK (TO-251) - Su foro 3 1V Enhancement 8,4 nC a 5 V 2,5 W Singolo