Gate driver mosfet per circuiti integrati | RS
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    Gate driver

    I circuiti integrati (IC) per gate driver sono amplificatori di potenza che convertono gli ingressi a bassa potenza in unità a corrente elevata.

    Sono progettati per l'uso con dispositivi a transistor ad alta potenza, ad esempio MOSFET o IGBT.

    È importante considerare il numero di uscite driver per l'applicazione scelta. Fattori importanti da considerare quando si sceglie un driver gate sono inoltre i parametri della tensione d'esercizio e della corrente di uscita.

    Gli IC per driver gate sono forniti in un contenitore semiconduttore standard, Come MSOP, PDIP, QFN e SOIC. I driver gate possono anche essere forniti come modulo completo.

    Cosa sono i driver MOSFET?

    Un driver MOSFET (gate mosfet) è un amplificatore di potenza che fornisce la tensione di uscita alta e bassa per attivare o disattivare un MOSFET. I transistor MOSFET e IGBT sono dispositivi a tensione controllata che vengono utilizzati come dispositivo di commutazione all'interno di un circuito elettronico.

    I gate driver MOSFET sono ideali per l'azionamento di MOSFET di potenza in applicazioni con convertitore e inverter.

    Driver di tipo bridge

    • Driver half bridge: progettato per le applicazioni che richiedono motori CC unidirezionali ad alta potenza, motori CC brushless trifase o altri carichi induttivi.
    • Driver full bridge: un controller full-bridge per l'uso con mosfet di potenza a canale N esterni ed è progettato per applicazioni automobilistiche con carichi induttivi ad alta potenza.
    • Driver trifase: progettato per il controllo della corrente trifase con modulazione a larghezza di impulsi (PWM), motori CC brushless.

    Driver piezoelettrici

    Piezoelettricità è l'elettricità che proviene dalla pressione e dal calore latente. I driver piezoelettrici sono driver gate progettati per supportare i componenti piezoelettrici. Ciò include la fibra ottica, stampanti a getto d'inchiostro, microfoni, Altoparlanti e tavole XY per micro-scansione utilizzate nelle termocamere.

    2987 prodotti trovati per Gate driver

    Semikron
    CMOS
    8 A
    15.6V
    -
    -
    -
    2
    MOSFET
    -
    -
    -
    2
    1.15µs
    Half Bridge
    -
    Montaggio superficiale
    Texas Instruments
    TTL
    1,5 A
    40V
    8
    -
    PDIP
    2
    MOSFET
    -
    Low Side
    -
    2
    -
    -
    Invertente
    Su foro
    onsemi
    TTL
    9 A
    5.5V
    16
    -
    SOIC-16 WB
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Semikron
    -
    15 A
    15.6V
    -
    -
    -
    2
    MOSFET
    -
    -
    -
    2
    -
    Half Bridge
    -
    Su foro
    Semikron
    -
    30 A
    15.6V
    -
    -
    -
    2
    MOSFET
    -
    -
    -
    2
    1.1µs
    Half Bridge
    -
    Su foro
    Infineon
    -
    0,5 A
    20V
    28
    -
    PDIP
    6
    MOSFET
    -
    High and Low Side
    Indipendente
    6
    -
    Trifase
    Invertente
    Su foro
    Texas Instruments
    CMOS
    6 A
    18V
    5
    -
    TO-220
    1
    MOSFET
    -
    Low Side
    -
    1
    -
    -
    Invertente, non invertente
    Su foro
    Semikron
    -
    15 A
    15.6V
    -
    -
    SKYPER
    2
    MOSFET
    -
    -
    -
    2
    1.1µs
    Half Bridge
    -
    -
    Microchip
    -
    1,5 A
    18V
    8
    -
    CERDIP
    -
    MOSFET
    -
    Low Side
    -
    1
    -
    -
    -
    Su foro
    Renesas Electronics
    CMOS, TTL
    1,25 A
    15V
    16
    -
    SOIC
    4
    MOSFET
    -
    Full bridge
    Indipendente
    4
    -
    Full Bridge
    Non-invertente
    Montaggio superficiale
    Microchip
    CMOS, TTL
    1,5 A
    30V
    8
    -
    PDIP
    1
    MOSFET
    -
    Lato alto
    -
    1
    -
    -
    Non-invertente
    Su foro
    Infineon
    CMOS, LSTTL
    360 mA
    20V
    8
    90ns
    PDIP
    -
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    CMOS
    5,5 A
    3 → 15V
    8
    30ns
    PG-DSO-8
    -
    MOSFET
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    CMOS
    30 A
    16V
    45
    -
    AG-EICE
    2
    MOSFET
    -
    Con isolamento galvanico
    -
    2
    -
    Half Bridge
    Non-invertente
    Montaggio superficiale
    Infineon
    CMOS, LSTTL
    500 mA
    -
    8
    40ns
    DSO-8
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Microchip
    CMOS
    9 A
    20V
    5
    60ns
    TO-220
    -
    MOSFET
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    CMOS
    0,5 A
    20V
    8
    -
    PDIP
    2
    MOSFET
    -
    Half Bridge
    Sincrono
    2
    -
    Half Bridge
    Invertente, non invertente
    Su foro
    Renesas Electronics
    -
    2,5 A
    15V
    20
    -
    PDIP
    -
    MOSFET
    -
    Driver gate isolato
    -
    4
    -
    -
    -
    -
    Microchip
    CMOS, TTL
    6 A
    18V
    8
    -
    PDIP
    2
    MOSFET
    -
    Low Side
    -
    1
    -
    -
    Non-invertente
    Su foro
    Microchip
    CMOS, TTL
    13 A
    18V
    8
    -
    PDIP
    2
    MOSFET
    -
    Low Side
    -
    1
    -
    -
    Non-invertente
    Su foro
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