Scheda di sviluppo IGBT, Driver MOSFET per Driver gate ad alta tensione L638xE e L639x Demonstration Board

Il kit scheda dimostrativa STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8 è stato sviluppato per i driver di gate compatibili ad alta tensione serie L638xE e L639x e consente di valutare tutte le caratteristiche e le funzionalità del driver di gate, mentre si aziona uno stadio di potenza half-bridge basato su MOSFET o IGBT a canale N in diversi contenitori e con una tensione nominale fino a 600V. I componenti vitali, quali il filtro e il condensatore di bootstrap, sono già montati sul circuito stampato. Le impronte dei componenti passivi sono compatibili sia con SMT che con T. H. Componenti, in modo da consentire una configurazione e una modifica rapide e semplici. Questo kit scheda dimostrativa è utilizzato per Gates ad alta tensione L638xE e L639x.

• ability per azionare semiponti asimmetrici e motori a riluttanza commutata
• LIN attivo alto o attivo basso per la guida con gate a ingresso singolo
• disposizione compatta e semplificata
• Compatibile con MOSFET/IGBT in DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP
• ingressi di guida dedicati lato alto e basso
• i driver Gate nel kit sono dotati di diverse funzionalità e caratteristiche
• Configurazione Half-bridge
• binario ad alta tensione fino a 600V
• diodo bootstrap integrato
• Interblocco per protezione anti-conduzione trasversale
• tempo morto interno o assenza di tempo morto