MOSFET Infineon, canale N, 82 mΩ, 21 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
301-158
Codice costruttore:
IRF3315SPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

21 A

Tensione massima drain source

150 V

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Serie

HEXFET

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

82 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

3,8 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Larghezza

9.65mm

Carica gate tipica @ Vgs

95 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

10.67mm

Materiale del transistor

Si

Altezza

4.83mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon


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