- Codice RS:
- 145-1889
- Codice costruttore:
- VB20100C-E3/4W
- Costruttore:
- Vishay
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
1,253 €
(IVA esclusa)
1,529 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per stecca* |
---|---|---|
50 - 50 | 1,253 € | 62,65 € |
100 - 200 | 1,19 € | 59,50 € |
250 + | 1,128 € | 56,40 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-1889
- Codice costruttore:
- VB20100C-E3/4W
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
TMBS - Raddrizzatori Trench MOS Barrier Schottky, fino a 20 A, Vishay Semiconductor
La serie di raddrizzatori Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) di Vishay contiene una struttura trench brevettata. I raddrizzatori TMBS offrono numerosi vantaggi rispetto ai raddrizzatori planari Schottky. A tensioni d'esercizio pari a 45 V e superiori, i raddrizzatori planari Schottky tendono a perdere i vantaggi rappresentati dall'alta velocità di commutazione e dalla bassa caduta di tensione diretta a un grado significativo. La struttura brevettata TMBS risolve questo problema diminuendo l'iniezione di portatori di carica minoritari nella regione di deriva e di conseguenza riducendo al minimo i portatori di carica accumulati e migliorando la velocità di commutazione.
Caratteristiche
Struttura trench brevettata
Efficienza ottimizzata in alimentatori in modalità switching c.a./c.c. e convertitori c.c./c.c.
Elevata densità di potenza e bassa tensione diretta
Efficienza ottimizzata in alimentatori in modalità switching c.a./c.c. e convertitori c.c./c.c.
Elevata densità di potenza e bassa tensione diretta
Raddrizzatori Schottky, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
Corrente massima continuativa di forward | 20A |
Picco della tensione ripetitiva inversa | 100V |
Configurazione diodi | Catodo comune |
Rettificatore | Raddrizzatore Schottky |
Diodo | Schottky |
Numero pin | 3 |
Caduta di tensione diretta massima | 790mV |
Numero di elementi per chip | 2 |
Tecnologia del diodo | Barriera Schottky |
Corrente di picco su surge non ripetitiva | 150A |
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