- Codice RS:
- 145-2153
- Codice costruttore:
- VT3045BP-M3/4W
- Costruttore:
- Vishay
Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 23/07/2024.
Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
1,298 €
(IVA esclusa)
1,584 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per stecca* |
50 - 50 | 1,298 € | 64,90 € |
100 - 200 | 1,233 € | 61,65 € |
250 + | 1,168 € | 58,40 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 145-2153
- Codice costruttore:
- VT3045BP-M3/4W
- Costruttore:
- Vishay
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
TMBS - Raddrizzatori Schottky a barriera MOS Trench, da 30 A a 80 A, Vishay Semiconductor
La serie di raddrizzatori Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) di Vishay contiene una struttura trench brevettata. I raddrizzatori TMBS offrono numerosi vantaggi rispetto ai raddrizzatori planari Schottky. A tensioni d'esercizio pari a 45 V e superiori, i raddrizzatori planari Schottky tendono a perdere i vantaggi rappresentati dall'alta velocità di commutazione e dalla bassa caduta di tensione diretta a un grado significativo. La struttura brevettata TMBS risolve questo problema diminuendo l'iniezione di portatori di carica minoritari nella regione di deriva e di conseguenza riducendo al minimo i portatori di carica accumulati e migliorando la velocità di commutazione.
Struttura trench brevettata
Efficienza ottimizzata in alimentatori in modalità switching c.a./c.c. e convertitori c.c./c.c.
Elevata densità di potenza e bassa tensione diretta
Efficienza ottimizzata in alimentatori in modalità switching c.a./c.c. e convertitori c.c./c.c.
Elevata densità di potenza e bassa tensione diretta
Caratteristiche
Raddrizzatori Schottky, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di montaggio | Su foro |
Tipo di package | TO-220AC |
Corrente massima continuativa di forward | 30A |
Picco della tensione ripetitiva inversa | 45V |
Configurazione diodi | Singolo |
Rettificatore | Raddrizzatore Schottky |
Diodo | Schottky |
Numero pin | 2 |
Caduta di tensione diretta massima | 600mV |
Numero di elementi per chip | 1 |
Tecnologia del diodo | Barriera Schottky |
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