Diodo STMicroelectronics, Su foro, 8A, 650V, TO-220AC, Diodo Schottky

Il diodo SiC è diodo di potenza Schottky a prestazioni ultraelevate. Viene prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. La vasta gamma di materiale band-gap consente la progettazione di una struttura diodo Schottky con un valore nominale di 650 V. A causa della struttura Schottky non viene indicato un recupero allo spegnimento e i tipi di oscillazione sono trascurabili. Il comportamento allo spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura. Particolarmente adatto per l'uso nelle applicazioni PFC, questo diodo SiC ST potenzia le prestazioni in condizioni di commutazione difficili. La sua elevata resistenza ai picchi assicura un'ottima robustezza durante le fasi dei transienti

Nessun recupero inverso o trascurabile
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Dedicato alle applicazioni PFC
Elevata capacità di sovracorrente in avanti
Tj d'esercizio da -40 °C a 175 °C