Diodo STMicroelectronics, Su foro, 10A, 1200V, DO-247LL, Diodo Schottky

Il diodo SiC, disponibile in TO-220AC, DPAK HV, D²PAK e DO-247 LL, è un raddrizzatore di potenza Schottky a prestazioni ultraelevate. Viene prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. La vasta gamma di materiale band-gap consente la progettazione di una struttura diodo Schottky a bassa VF con un valore nominale di 1200 V A causa della struttura Schottky non viene indicato un recupero allo spegnimento e i tipi di oscillazione sono trascurabili. Il comportamento allo spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura. Particolarmente adatto per l'uso nelle applicazioni PFC e lato secondario, questo diodo SiC ST potenzia le prestazioni in condizioni di commutazione difficili. Questo raddrizzatore migliora le prestazioni dell'applicazione interessata. La sua elevata resistenza ai picchi assicura un'ottima robustezza durante le fasi dei transienti

Nessun recupero inverso o trascurabile
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Robusta periferia ad alta tensione
Temperatura d'esercizio da -40 °C a 175 °C
Bassa VF