Diodo Vishay, Montaggio a pannello, 200A, 150V, TO-240AA, Raddrizzatore a recupero

I moduli IGBT ad elevata efficienza Vishay vengono forniti con una scelta di tecnologie IGBT PT, NPT e Trench. La gamma comprende interruttori singoli, inverter, chopper, half-bridge o in configurazioni personalizzate. Questi moduli IGBT sono progettati per essere utilizzati come un dispositivo di commutazione principale in alimentatori switching, alimentatori continui, saldatura industriale, azionamenti e sistemi di correzione del fattore di potenza.

Tra le applicazioni tipiche: convertitori boost e buck, convertitori diretti e convertitori diretti doppi, half bridge, full bridge (H-bridge) e ponti trifase.

Vasta gamma di tipi di contenitore standard industriale
Montaggio diretto su dissipatore
Scelta di tecnologie IGBT PT, NPT e Trench
IGBT Low-VCE(on)
Frequenza di commutazione da 1 kHz a 150 kHz
Robuste prestazioni contro i transienti
Alta tensione di isolamento fino a 3500 V
Al 100 % senza piombo e conformi alla direttiva RoHS
Bassa resistenza termica
Ampia gamma di temperature d'esercizio (da -40 °C a +175 °C)

Il catodo comune del raddrizzatore Schottky VS-VSKCS209 Vishay è stato ottimizzato per bassa dispersione inversa ad alta temperatura. La tecnologia a barriera brevettata consente un funzionamento affidabile fino a 175 °C di temperatura di giunzione. Le applicazioni tipiche sono gli alimentatori switching a corrente elevata, gli alimentatori per placcatura, i sistemi UPS, i convertitori, i diodi di libera circolazione, saldatura e protezione contro l'inversione di polarità della batteria.

Bassa caduta di tensione diretta
Funzionamento ad alta frequenza
Bassa resistenza termica

Moduli IGBT, Vishay

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.