Diodo onsemi, Foro passante, 10 A, 650 V, TO-220F, Diodo Schottky, 2 Pin
- Codice RS:
- 178-4444P
- Codice costruttore:
- FFSPF1065A
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 5 unità (fornito in tubo)*
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Unità | Per unità |
|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-4444P
- Codice costruttore:
- FFSPF1065A
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo prodotto | Diodo | |
| Tipo di package | TO-220F | |
| Corrente massima continua in avanti If | 10A | |
| Picco di tensione ripetitiva inversa Vrrm | 650V | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Tipo di raddrizzatore | Diodo Schottky | |
| Numero pin | 2 | |
| Corrente inversa di picco Ir | 600μA | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm | 720A | |
| Tensione massima indiretta Vf | 1.75V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 15.87mm | |
| Lunghezza | 10.16mm | |
| Diametro | 3.18mm | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo prodotto Diodo | ||
Tipo di package TO-220F | ||
Corrente massima continua in avanti If 10A | ||
Picco di tensione ripetitiva inversa Vrrm 650V | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Tipo di raddrizzatore Diodo Schottky | ||
Numero pin 2 | ||
Corrente inversa di picco Ir 600μA | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 720A | ||
Tensione massima indiretta Vf 1.75V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 15.87mm | ||
Lunghezza 10.16mm | ||
Diametro 3.18mm | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 10 A, 650 V, D1, TO-220FP-2L Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 10 A, 650 V, D1, TO-220F-2L
I diodi al carburo di silicio (SiC) Schottky utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendente dalla temperatura e eccellenti prestazioni termiche definiscono il carburo di silicio come la nuova generazione di semiconduttori di alimentazione. I vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza d'esercizio più veloce, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e ridotte dimensioni e costi del sistema.
Max. temperatura di giunzione 175 °C
Capacità per alta corrente di picco
Coefficiente di temperatura positivo
Nessun recupero inverso/nessun recupero diretto
Applicazioni
PFC
Potenza industriale
Solare
Caricabatterie EV
UPS
Saldatura