Diodo onsemi, Montaggio superficiale, 8A, 650V, PQFN

I diodi al carburo di silicio (SiC) Schottky utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendente dalla temperatura e eccellenti prestazioni termiche definiscono il carburo di silicio come la nuova generazione di semiconduttori di alimentazione. I vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza d'esercizio più veloce, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e ridotte dimensioni e costi del sistema.

Max. temperatura di giunzione 175 °C
Capacità per alta corrente di picco
Coefficiente di temperatura positivo
Nessun recupero inverso/nessun recupero diretto
Applicazioni
PFC
Potenza industriale
Solare
Caricabatterie EV
UPS
Saldatura