Diodo onsemi, Su foro, 20A, 30V, TO-220, Raddrizzatore Schottky

Il raddrizzatore Schottky utilizza il principio della barriera Schottky in un diodo di potenza metallo-silicio di grande area. La geometria nota Art presenta una struttura epitassiale con passivazione di ossido e contatto di sovrapposizione di metallo. È ideale per l'uso come raddrizzatori in inverter a bassa tensione, alta frequenza, diodi wheeling liberi e diodi di protezione della polarità.

Giunzione Passivata ad Ossido altamente stabile
Caduta di tensione di avanzamento molto bassa (0,4 max a 10 A, TC = 150°C)
Temperatura di collegamento operativa 150°C.
Costruzione doppia a stampo abbinata (10 A per gamba o 20 A per confezione)
Elevata capacità di temperatura di giunzione
Elevata capacità dv/dt
Eccellente ability to Withstand Reverse Avalanche Energy Transitions
Protezione da stress
Caratteristiche meccaniche:
Custodia: Epossidica, stampata
Peso: 1,9 grammi (circa)
Finitura: Tutte le superfici esterne resistenti alla corrosione e i terminal sono saldabili in modo leggibile
Temperatura delle derivazioni per saldatura: 260°C max. per 10 secondi