Diodo onsemi, Montaggio superficiale, 10.1A, 650V, D2PAK, Diodo Schottky

I diodi al carburo di silicio (SiC) Schottky utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendente dalla temperatura e eccellenti prestazioni termiche definiscono il carburo di silicio come la nuova generazione di semiconduttori di alimentazione. I vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza d'esercizio più veloce, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e ridotte dimensioni e costi del sistema.

UIS elevato, corrente di picco e effetto valanga
Elevata temperatura di giunzione
Bassa VF
Nessun Qrr
49mJ @ 25C
TJ = 175C
1,41 V.
<100nC
Applications
PFC