Diodo onsemi, Montaggio superficiale, 9.1A, 650V, DPAK, Diodo Schottky

I diodi al carburo di silicio (SiC) Schottky utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendente dalla temperatura e eccellenti prestazioni termiche definiscono il carburo di silicio come la nuova generazione di semiconduttori di alimentazione. I vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza d'esercizio più veloce, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e ridotte dimensioni e costi del sistema.

Max. temperatura di giunzione 175 °C
Capacità PPAP
Capacità per alta corrente di picco
Coefficiente di temperatura positivo
Facilità di collegamento in parallelo
Nessun recupero inverso/nessun recupero diretto
Applications
Caricabatterie a bordo HEV-EV per il settore automobistico
Convertitori c.c.-c.c. per il settore automobilistico