Diodo STMicroelectronics, Superficie, 4 A, 650 V, TO-263, 2 Pin
- Codice RS:
- 201-0882P
- Codice costruttore:
- STPSC4H065B-TR
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 201-0882P
- Codice costruttore:
- STPSC4H065B-TR
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Diodo | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Corrente massima continua in avanti If | 4A | |
| Picco di tensione ripetitiva inversa Vrrm | 650V | |
| Serie | STPSC | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Numero pin | 2 | |
| Tensione massima indiretta Vf | 2.25V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm | 200A | |
| Corrente inversa di picco Ir | 35μA | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 28.25mm | |
| Larghezza | 10mm | |
| Altezza | 4.5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Diametro | 3.75mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Diodo | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Corrente massima continua in avanti If 4A | ||
Picco di tensione ripetitiva inversa Vrrm 650V | ||
Serie STPSC | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Numero pin 2 | ||
Tensione massima indiretta Vf 2.25V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 200A | ||
Corrente inversa di picco Ir 35μA | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 28.25mm | ||
Larghezza 10mm | ||
Altezza 4.5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Diametro 3.75mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il diodo di potenza schottky a elevata resistenza ai picchi di corrente 650V STMicroelectronics è dotato di 4A. Si tratta di un diodo di potenza schottky a prestazioni ultra-elevate. Viene prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. La sua elevata resistenza ai picchi assicura un'ottima robustezza durante le fasi dei transienti Questo diodo SiC potenzia le prestazioni in condizioni di commutazione difficili.
Nessuna carica di recupero inverso nella gamma di corrente dell'applicazione
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Elevata capacità di picco diretto
Prodotto ad alta efficienza energetica