SiC Schottky onsemi, Superficie, 8 A, 650 V, PQFN, Diodo Schottky, 5 Pin
- Codice RS:
- 214-8796P
- Codice costruttore:
- FFSM0865B
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 214-8796P
- Codice costruttore:
- FFSM0865B
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | SiC Schottky | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Corrente massima continua in avanti If | 8A | |
| Picco di tensione ripetitiva inversa Vrrm | 650V | |
| Tipo di raddrizzatore | Diodo Schottky | |
| Numero pin | 5 | |
| Tensione massima indiretta Vf | 1.7V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Corrente inversa di picco Ir | 40μA | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 8mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 8mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto SiC Schottky | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package PQFN | ||
Corrente massima continua in avanti If 8A | ||
Picco di tensione ripetitiva inversa Vrrm 650V | ||
Tipo di raddrizzatore Diodo Schottky | ||
Numero pin 5 | ||
Tensione massima indiretta Vf 1.7V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Corrente inversa di picco Ir 40μA | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 8mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 8mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 8 A, 650 V, D2, Power88
Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 8 A, 650 V, D2, Power88
La serie FFSM di ON Semiconductor è costituita da diodi Schottky in carburo di silicio che utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. In genere viene utilizzato in inverter, SMPS e UPS, ecc.
Massima efficienza
Frequenza di funzionamento più veloce
Maggiore densità di potenza
EMI ridotto