Diodo raddrizzatore e Schottky STMicroelectronics, Montaggio superficiale, 15A, 1200V, D?PAK HV

Il diodo SiC da 15 A, 1200 V STMicroelectronics è diodo di potenza Schottky a prestazioni ultra-elevate. Viene prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. Il materiale con ampio spazio di banda consente la progettazione di una struttura diodo Schottky con un valore nominale di 1200 V. A causa della struttura Schottky non viene indicato un recupero allo spegnimento e i tipi di oscillazione sono trascurabili. Il comportamento allo spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura. Alloggiato in D²PAK HV, questo diodo è perfettamente adatto per l'uso in applicazioni PFC, in stazione di carica, c.c./c.c., il che rende più conforme a IEC-60664-1. Il modello STPSC15H12G2-TR aumenta le prestazioni in condizioni di commutazione difficili. La sua elevata capacità di sovracorrente diretta assicura una buona robustezza durante le fasi transitorie.

Nessun recupero inverso o trascurabile
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Robusta periferia ad alta tensione
Tj d'esercizio da -40 °C a 175 °C
Bassa VF
D²PAK distanza di dispersione HV (anodo-catodo) = 5,38 mm
min. Conforme a ECOPACK2