Diodo raddrizzatore e Schottky STMicroelectronics, Montaggio superficiale, 15A, 1200V, D?PAK HV

Il diodo SiC da 15 A, 1200 V STMicroelectronics è diodo di potenza Schottky a prestazioni ultra-elevate. Viene prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. Il materiale con ampio spazio di banda consente la progettazione di una struttura diodo Schottky con un valore nominale di 1200 V. A causa della struttura Schottky non viene indicato un recupero allo spegnimento e i tipi di oscillazione sono trascurabili. Il comportamento allo spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura. Alloggiato in D2PAK HV, questo diodo è perfettamente adatto per l'uso in applicazioni PFC, in OBC, c.c./c.c. per EV, agevolando la conformità a IEC-60664-1.

Qualifica AEC-Q101
Nessun recupero inverso o trascurabile
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Robusta periferia ad alta tensione
Capacità PPAP
Tj d'esercizio da -40 °C a 175 °C
D²PAK distanza di dispersione HV (anodo-catodo) = 5,38 mm
min. Conforme a ECOPACK2