- Codice RS:
- 236-3562
- Codice costruttore:
- CUS10S30,H3F(T
- Costruttore:
- Toshiba
Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 02/09/2024.
Aggiunto
Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)
0,064 €
(IVA esclusa)
0,078 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Bobina* |
3000 + | 0,064 € | 192,00 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 236-3562
- Codice costruttore:
- CUS10S30,H3F(T
- Costruttore:
- Toshiba
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Diodo a barriera Schottky Toshiba avente epitassiale in silicio. È dotato di un contenitore USC per impieghi generali che è equivalente ai contenitori SOD-323 e SC-76. È utilizzato in applicazioni di commutazione ad alta velocità.
Maggiore dispersione inversa
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Tipo di package | USC |
Corrente massima continuativa di forward | 5A |
Picco della tensione ripetitiva inversa | 30V |
Rettificatore | Diodo Schottky |
Diodo | Schottky |
Numero pin | 2 |
Numero di elementi per chip | 1 |
Tecnologia del diodo | Barriera Schottky |
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