Diodo Infineon, Montaggio superficiale, 4A, 650V, PG-TO263-2

Infineon 5a generazione thinQ! Il diodo Schottky SiC è un processo di saldatura a diffusione proprietario, già introdotto con G3 è ora combinato con un nuovo design più compatto e la tecnologia a wafer sottile. Il risultato è una nuova famiglia di prodotti che mostra una maggiore efficienza in tutte le condizioni di carico, che si traduce sia nelle migliori caratteristiche termiche che in una cifra di merito inferiore. Il nuovo thinQ!La generazione TM 5 è stata progettata per integrare le nostre famiglie CoolMOS da 650 V, in modo da soddisfare i requisiti più severi delle applicazioni in questa gamma di tensioni.

Rivoluzionario materiale semiconduttore - carburo di silicio
Comportamento di commutazione di riferimento
Nessun recupero inverso/Nessun recupero avanti
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Consente soluzioni di densità di potenza/frequenza più elevata
Maggiore affidabilità del sistema grazie alle temperature d'esercizio inferiori
EMI ridotte