Diodo raddrizzatore e Schottky STMicroelectronics, Su foro, 20A, 1200V, DO-247 LL

Il diodo SiC STMicroelectronics è disponibile in DO-247 con cavi lunghi ed è un raddrizzatore Schottky di potenza a prestazioni ultra-elevate. È realizzato utilizzando un substrato in carburo di silicio. Il materiale con ampio divario di banda consente la progettazione di una struttura di diodi Schottky a bassa VF con una tensione nominale di 1200 V. Grazie alla struttura schottky, non viene mostrato alcun recupero durante lo spegnimento e gli schemi di suonamento sono trascurabili. Il comportamento di spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura.

Recupero inverso assente o trascurabile
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Robusta periferica ad alta tensione
Energia valanga