Diodo Vishay, Su foro, 60A, 100V, TO-220F, Raddrizzatore Schottky
- Codice RS:
- 748-1065
- Codice costruttore:
- VF60100C-M3/4W
- Costruttore:
- Vishay
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità
2,09 €
(IVA esclusa)
2,55 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,09 € |
| 10 - 49 | 1,88 € |
| 50 - 99 | 1,77 € |
| 100 - 249 | 1,67 € |
| 250 + | 1,62 € |
- Codice RS:
- 748-1065
- Codice costruttore:
- VF60100C-M3/4W
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
TMBS - Raddrizzatori Schottky a barriera MOS Trench, da 30 A a 80 A, Vishay Semiconductor
La serie di raddrizzatori Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) di Vishay contiene una struttura trench brevettata. I raddrizzatori TMBS offrono numerosi vantaggi rispetto ai raddrizzatori planari Schottky. A tensioni d'esercizio pari a 45 V e superiori, i raddrizzatori planari Schottky tendono a perdere i vantaggi rappresentati dall'alta velocità di commutazione e dalla bassa caduta di tensione diretta a un grado significativo. La struttura brevettata TMBS risolve questo problema diminuendo l'iniezione di portatori di carica minoritari nella regione di deriva e di conseguenza riducendo al minimo i portatori di carica accumulati e migliorando la velocità di commutazione.
Struttura trench brevettata
Efficienza ottimizzata in alimentatori in modalità switching c.a./c.c. e convertitori c.c./c.c.
Elevata densità di potenza e bassa tensione diretta
Efficienza ottimizzata in alimentatori in modalità switching c.a./c.c. e convertitori c.c./c.c.
Elevata densità di potenza e bassa tensione diretta
Caratteristiche
Raddrizzatori Schottky, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Tipo di package | TO-220F |
| Corrente massima continuativa di forward | 60A |
| Picco della tensione ripetitiva inversa | 100V |
| Configurazione diodi | Catodo comune |
| Rettificatore | Raddrizzatore Schottky |
| Diodo | Schottky |
| Numero pin | 3 |
| Caduta di tensione diretta massima | 790mV |
| Numero di elementi per chip | 2 |
| Tecnologia del diodo | Barriera Schottky |
| Corrente di picco su surge non ripetitiva | 320A |
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