Diodo Schottky STMicroelectronics, Foro passante, 30 A 650 V, H2PAK, Singolo, 2 Pin STPSC30G065G2Y
- Codice RS:
- 800-470
- Codice costruttore:
- STPSC30G065G2Y
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 800-470
- Codice costruttore:
- STPSC30G065G2Y
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima diretta If | 30A | |
| Tipo prodotto | Diodo Schottky | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Sottotipo | Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di package | H2PAK | |
| Numero pin | 2 | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm | 200A | |
| Tensione massima indiretta Vf | 1.3V | |
| Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm | 650V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Standard/Approvazioni | ECOPACK2 | |
| Serie | STPSC30G065G2Y | |
| Diametro | 3.85mm | |
| Altezza | 15.8mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima diretta If 30A | ||
Tipo prodotto Diodo Schottky | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Sottotipo Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di package H2PAK | ||
Numero pin 2 | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 200A | ||
Tensione massima indiretta Vf 1.3V | ||
Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm 650V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Standard/Approvazioni ECOPACK2 | ||
Serie STPSC30G065G2Y | ||
Diametro 3.85mm | ||
Altezza 15.8mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- SG
Il raddrizzatore Schottky di potenza ad altissime prestazioni di STMicroelectronics. Viene prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. Il materiale con ampio divario di banda consente la progettazione di una struttura di diodi Schottky a basso VF con una tensione nominale di 650 V.
Certificazione AEC-Q101 e idoneità per PPAP
Nessuna carica di recupero inverso nella gamma di corrente dell'applicazione
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Elevata capacità di spinta in avanti
Funzionamento Tj da -55 °C a +175 °C
Componente conforme a ECOPACK2
