Giunzione di silicio Infineon, Foro passante, 80 A 650 V, TO-220, Singolo, 2 Pin IDP40E65D2XKSA1
- Codice RS:
- 110-7096
- Codice costruttore:
- IDP40E65D2XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 110-7096
- Codice costruttore:
- IDP40E65D2XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima diretta If | 80A | |
| Tipo prodotto | Giunzione di silicio | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Sottotipo | Giunzione al silicio | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Numero pin | 2 | |
| Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm | 650V | |
| Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm | 250A | |
| Tempo di recupero inverso di picco trr | 83ns | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 200W | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima indiretta Vf | 2.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.2mm | |
| Altezza | 15.95mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima diretta If 80A | ||
Tipo prodotto Giunzione di silicio | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Sottotipo Giunzione al silicio | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Numero pin 2 | ||
Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm 650V | ||
Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 250A | ||
Tempo di recupero inverso di picco trr 83ns | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 200W | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima indiretta Vf 2.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.2mm | ||
Altezza 15.95mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Diodi controllati per emettitore a switching rapido, Infineon
I diodi switching Infineon controllati dall'emettitore e i diodi con recupero ultra-morbido da 600 V/1200 V fanno parte delle famiglie Rapid 1 e Rapid 2. I diodi funzionano in varie applicazioni fra cui telecomunicazioni, UPS, saldatura, c.a.-c.c. e la versione con recupero ultra-morbido funziona su applicazioni con azionamento motorizzato fino a 30 kHz.
Il diodo Rapid 1 commuta tra 18 kHz e 40 kHz
Tensione diretta con temperatura stabile 1,35 V
Ideale per le topologie per la correzione del fattore di potenza (PFC)
Il diodo Rapid 2 commuta tra 40 kHz e 100 kHz
Bassa carica di recupero inverso: rapporto di tensione diretta per prestazioni BiC
Basso tempo di recupero inverso
Basse perdite di attivazione sull'interruttore di incremento
Diodo ultra-veloce Tecnologia controllata dall'emettitore 600 V/1200 V
Qualificato in conformità allo standard JEDEC
Buon comportamento EMI
Basse perdite di conduzione
Facile collegamento in parallelo
Diodi e raddrizzatori, Infineon
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