Giunzione di silicio Infineon, Foro passante, 30 A 1200 V, TO-220, Singolo, 2 Pin IDP30E120XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
110-7168
Codice costruttore:
IDP30E120XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Giunzione di silicio

Configurazione diodi

Singolo

Corrente massima diretta If

30A

Tipo montaggio

Foro passante

Sottotipo

Giunzione al silicio

Tipo di package

TO-220

Numero pin

2

Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm

102A

Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm

1200V

Tensione massima indiretta Vf

2.15V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

138W

Tempo di recupero inverso di picco trr

380ns

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.2mm

Altezza

15.95mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Diodi controllati per emettitore a switching rapido, Infineon


I diodi switching Infineon controllati dall'emettitore e i diodi con recupero ultra-morbido da 600 V/1200 V fanno parte delle famiglie Rapid 1 e Rapid 2. I diodi funzionano in varie applicazioni fra cui telecomunicazioni, UPS, saldatura, c.a.-c.c. e la versione con recupero ultra-morbido funziona su applicazioni con azionamento motorizzato fino a 30 kHz.

Il diodo Rapid 1 commuta tra 18 kHz e 40 kHz

Tensione diretta con temperatura stabile 1,35 V

Ideale per le topologie per la correzione del fattore di potenza (PFC)

Il diodo Rapid 2 commuta tra 40 kHz e 100 kHz

Bassa carica di recupero inverso: rapporto di tensione diretta per prestazioni BiC

Basso tempo di recupero inverso

Basse perdite di attivazione sull'interruttore di incremento

Diodo ultra-veloce Tecnologia controllata dall'emettitore 600 V/1200 V

Qualificato in conformità allo standard JEDEC

Buon comportamento EMI

Basse perdite di conduzione

Facile collegamento in parallelo

Diodi e raddrizzatori, Infineon


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